DMN1033UCB4-7

DIODES | 場效應管陣列

制造廠商：DIODES（美臺半導體）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

原廠封裝：U-WLB1818-4

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Diodes公司完整型號：DMN1033UCB4-7

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

系列：-

FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：-

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：37nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA

供應商器件封裝：U-WLB1818-4

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DMN1033UCB4-7供應商-耐智電子

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