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DMN10H170SVT-7
DIODES | FET - 單
制造廠商:
DIODES
(美臺半導體)
功能簡述:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
原廠封裝:
SOT-23-6
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下載DMN10H170SVT-7技術資料
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Diodes公司完整型號: DMN10H170SVT-7
制造廠家名稱: Diodes Incorporated
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 2.6A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 160 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 9.7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1167pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝: TSOT-26
耐智電子是國內領先的DMN10H170SVT-7供應商
DMN10H170SVT-7供應商-耐智電子
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DMN10H170SVT-7
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