IRF640N

IR | 單端場效應管

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

原廠封裝：TO-220AB

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IR公司完整型號：IRF640N

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：67nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1160pF @ 25V

功率 - 最大值：150W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB

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IRF640N供應商-耐智電子

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