IRF9910TR

IR | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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IR公司完整型號：IRF9910TR

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：10A，12A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：13.4 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.55V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IRF9910TR供應(yīng)商

IRF9910TR供應(yīng)商-耐智電子

FET - 單

IGBT模塊

外部開關(guān)MOSFET，電橋驅(qū)動器

單端場效應(yīng)管

IRF9910TR是IR國際整流器Infineon公司的一款產(chǎn)品，IR代理商耐智電子全程提供IRF9910TR現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的IRF9910TR供應(yīng)商。

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