IRFH7911TR2PBF

IR | 場效應管陣列

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

原廠封裝：PQFN

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IR公司完整型號：IRFH7911TR2PBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：13A，28A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1060pF @ 15V

功率 - 最大值：2.4W，3.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：18-PowerVQFN

供應商器件封裝：PQFN（5x6）

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IRFH7911TR2PBF供應商-耐智電子

單端場效應管

單路IGBT

單端場效應管

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