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IRFH8334TR2PBF

IR | 單端場效應管

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

原廠封裝：PQFN

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IR公司完整型號：IRFH8334TR2PBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：14A（Ta），44A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1180pF @ 10V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：PQFN（5x6）

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IRFH8334TR2PBF供應商-耐智電子

單端場效應管

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外部開關MOSFET，電橋驅動器

單端場效應管

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