IRFHE4250DTRPBF

IR | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

原廠封裝：32-PQFN

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IR公司完整型號：IRFHE4250DTRPBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

系列：FASTIRFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：86A，303A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.75 毫歐 @ 27A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1735pF @ 13V

功率 - 最大值：156W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：32-PowerWFQFN

供應(yīng)商器件封裝：32-PQFN （6x6）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IRFHE4250DTRPBF供應(yīng)商

IRFHE4250DTRPBF供應(yīng)商-耐智電子

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