IRFHM792TR2PBF

IR | 場效應管陣列

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

原廠封裝：8-PQFN

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IR公司完整型號：IRFHM792TR2PBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.3A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：195 毫歐 @ 2.9A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：251pF @ 25V

功率 - 最大值：2.3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33

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IRFHM792TR2PBF供應商-耐智電子

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