IRFHM8363TR2PBF

IR | 場效應(yīng)管陣列

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

原廠封裝：8-PQFN

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IR公司完整型號：IRFHM8363TR2PBF

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V

功率 - 最大值：2.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IRFHM8363TR2PBF供應(yīng)商

IRFHM8363TR2PBF供應(yīng)商-耐智電子

單端場效應(yīng)管

固態(tài)繼電器

單端場效應(yīng)管

場效應(yīng)管陣列

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