SI4435DY

IR | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：IR（國際整流器Infineon）

功能簡述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

原廠封裝：8-SO

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IR公司完整型號：SI4435DY

制造廠家名稱：International Rectifier

描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的SI4435DY供應(yīng)商

SI4435DY供應(yīng)商-耐智電子

單端場效應(yīng)管

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SI4435DY是IR國際整流器Infineon公司的一款產(chǎn)品，IR代理商耐智電子全程提供SI4435DY現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價(jià)格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的SI4435DY供應(yīng)商。

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