
IXYS成立于1983年,IXYS的MOSFET由于內(nèi)置了恢復(fù)速度快,恢復(fù)特性良好的二極管,無(wú)論在動(dòng)態(tài)和靜態(tài)狀態(tài)下,dv/dt的特性都得以提高,從而使HiPerFET在更惡劣的條件下也能安全工作,因此,它適合在各種感性負(fù)載作為開(kāi)關(guān)器件.IXYS的F-ClassMOSFET,主要在超高頻的開(kāi)關(guān)電源,射頻,激光等應(yīng)用,操作頻率可達(dá)到150MHz,該系列產(chǎn)品有極低的門極充電電量。2013年6月,IXYS宣布以5000萬(wàn)美元左右的價(jià)格,收購(gòu)三星電子(Samsung)的4位與8位微控制器(MCU)業(yè)務(wù)。根據(jù)雙方協(xié)議,Ixys將接收三星電子近80條4位與8位MCU產(chǎn)品線,包括庫(kù)存、IP與相關(guān)資產(chǎn);收購(gòu)案仍有待通過(guò)各種官方程序,預(yù)計(jì)下個(gè)月可完成。而未來(lái)三星將繼續(xù)在一項(xiàng)擴(kuò)大的代工伙伴合約之下,為Ixys制造MCU產(chǎn)品。
系統(tǒng)堆棧組件:
IGBT:
射頻功率:
集成電路:
電源設(shè)備組件:


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