2N7002DW H6327

Infineon | 場效應管陣列

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

原廠封裝：PG-SOT363-6

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Infineon英飛凌公司完整型號：2N7002DW H6327

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

系列：OptiMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：300mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：20pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝：PG-SOT363-6

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2N7002DW H6327供應商-耐智電子

Infineon

Infineon

單端場效應管

配電開關，負載驅動器芯片

單二極管整流器

二極管TVS

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