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BG 3130R H6327
Infineon | RF場效應管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
原廠封裝:
PG-SOT363-6
BG 3130R H6327一手貨源 + 極具競爭力的價格 + 大小批量出貨
下載BG 3130R H6327技術資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:BG 3130R H6327
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
系列:-
晶體管類型:2 N-通道(雙)
頻率:800MHz
增益:24dB
電壓 - 測試:5V
額定電流:25mA
噪聲系數:1.3dB
電流 - 測試:14mA
功率 - 輸出:-
電壓 - 額定:8V
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商器件封裝:PG-SOT363-6
耐智電子是國內領先的BG 3130R H6327供應商
BG 3130R H6327供應商-耐智電子
BG 3230 E6327
Infineon
BG 3123R H6327
Infineon
BCR 199L3 E6327
單路﹐預偏壓式晶體管
BSC025N03LS G
單端場效應管
SAF-XE164GN-40F80L AA
微控制器
SPB80N08S2L-07
單端場效應管
BG 3130R H6327
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