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BSC018NE2LSI
Infineon | 單端場效應管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
原廠封裝:
PG-TDSON-8
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下載BSC018NE2LSI技術資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSC018NE2LSI
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):25V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):29A(Ta),100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2500pF @ 12V
功率 - 最大值:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商器件封裝:PG-TDSON-8
耐智電子是國內領先的BSC018NE2LSI供應商
BSC018NE2LSI供應商-耐智電子
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BSC018NE2LSI
是Infineon英飛凌公司的一款產品,Infineon代理商耐智電子全程提供BSC018NE2LSI現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的BSC018NE2LSI供應商。
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