BSC119N03S G

Infineon | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8

原廠封裝：PG-TDSON-8

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Infineon英飛凌公司完整型號：BSC119N03S G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11.9A（Ta），30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11.9 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1370pF @ 15V

功率 - 最大值：43W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的BSC119N03S G供應(yīng)商

BSC119N03S G供應(yīng)商-耐智電子

Infineon

Infineon

FET - 單

音頻處理芯片

RF 評估和開發(fā)套件，板

單路晶體管(BJT)

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