BSO211P H

Infineon | 場效應管陣列

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

原廠封裝：PG-DSO-8

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Infineon英飛凌公司完整型號：BSO211P H

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

系列：OptiMOS?

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 4.6A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1095pF @ 15V

功率 - 最大值：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：PG-DSO-8

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BSO211P H供應商-耐智電子

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