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BSZ086P03NS3E G代理

BSZ086P03NS3E G

Infineon | 單端場效應管
制造廠商：Infineon（英飛凌）
功能簡述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
原廠封裝：PG-TSDSON-8
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  • Infineon英飛凌公司完整型號：BSZ086P03NS3E G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：13.5A（Ta），40A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：57.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4785pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：69W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 耐智電子是國內領先的BSZ086P03NS3E G供應商
    • BSZ086P03NS3E G供應商-耐智電子
  • Infineon
    BSZ067N06LS3 G
  • Infineon
    BSZ058N03MS G
  • RF晶體管
    BFR 360F H6765
  • 單端場效應管
    IPD30N03S4L-09
  • 微控制器
    SAF-XE164K-48F66L AC
  • 單端場效應管
    IPU135N08N3 G
    • BSZ086P03NS3E G是Infineon英飛凌公司的一款產品，Infineon代理商耐智電子全程提供BSZ086P03NS3E G現貨支持、優勢價格、充足貨源，是國內領先的BSZ086P03NS3E G供應商。

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