BUZ32 H

Infineon | 單端場效應管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

原廠封裝：PG-TO220-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：BUZ32 H

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：530pF @ 25V

功率 - 最大值：75W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：PG-TO220-3

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BUZ32 H供應商-耐智電子

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