IPB100N06S3L-04

Infineon | 單端場效應管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

原廠封裝：PG-TO263-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB100N06S3L-04

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 150μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：362nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：17270pF @ 25V

功率 - 最大值：214W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-3

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IPB100N06S3L-04供應商-耐智電子

Infineon

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單路晶體管(BJT)

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