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IPB80N06S2L-07
Infineon | 單端場效應管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
原廠封裝:
PG-TO263-3
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下載IPB80N06S2L-07技術資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPB80N06S2L-07
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):55V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):130nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3160pF @ 25V
功率 - 最大值:210W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:PG-TO263-3
耐智電子是國內領先的IPB80N06S2L-07供應商
IPB80N06S2L-07供應商-耐智電子
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單端場效應管
IPB80N06S2L-07
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