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IPD053N06N3 G

Infineon | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

原廠封裝：PG-TO252-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：IPD053N06N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：90A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.3 毫歐 @ 90A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 58μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：82nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6600pF @ 30V

功率 - 最大值：115W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IPD053N06N3 G供應(yīng)商

IPD053N06N3 G供應(yīng)商-耐智電子

Infineon

Infineon

單端場效應(yīng)管

電機(jī), 電橋式驅(qū)動器芯片

單路晶體管(BJT)

FET - 單

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