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IPD20N03L G

Infineon | 單端場(chǎng)效應(yīng)管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡(jiǎn)述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

原廠封裝：PG-TO252-3

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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPD20N03L G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：695pF @ 25V

功率 - 最大值：42W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

耐智電子是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IPD20N03L G供應(yīng)商

IPD20N03L G供應(yīng)商-耐智電子

Infineon

Infineon

晶體管陣列

單路IGBT

電信接口芯片

單端場(chǎng)效應(yīng)管

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