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IPD60R600P6ATMA1
Infineon | FET - 單
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
原廠封裝:
TO-252-3,DPak
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD60R600P6ATMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
系列: CoolMOS P6
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 7.3A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 600 毫歐 @ 2.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 557pF @ 100V
功率 - 最大值: 63W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝: PG-TO252-3
耐智電子是國內領先的IPD60R600P6ATMA1供應商
IPD60R600P6ATMA1供應商-耐智電子
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單端場效應管
IPD60R600P6ATMA1
是Infineon英飛凌公司的一款產品,Infineon代理商耐智電子全程提供IPD60R600P6ATMA1現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的IPD60R600P6ATMA1供應商。
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