IPD65R1K4CFDBTMA1

Infineon | 單端場效應管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

原廠封裝：PG-TO252

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Infineon英飛凌公司完整型號：IPD65R1K4CFDBTMA1

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：262pF @ 100V

功率 - 最大值：28.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：PG-TO252

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IPD65R1K4CFDBTMA1供應商-耐智電子

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