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IPD65R950CFDBTMA1
Infineon | 單端場效應(yīng)管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
原廠封裝:
PG-TO252
IPD65R950CFDBTMA1一手貨源 + 極具競爭力的價格 + 大小批量出貨
下載IPD65R950CFDBTMA1技術(shù)資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPD65R950CFDBTMA1
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
系列:CoolMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):950 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14.1nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):380pF @ 100V
功率 - 最大值:36.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252
耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IPD65R950CFDBTMA1供應(yīng)商
IPD65R950CFDBTMA1供應(yīng)商-耐智電子
IPD60R750E6
Infineon
IPD65R600E6ATMA1
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TLE4976-1H
霍爾效應(yīng)磁性傳感器IC
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TLE4276G V50
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SIDC42D120F6
單二極管整流器
IPD65R950CFDBTMA1
是Infineon英飛凌公司的一款產(chǎn)品,Infineon代理商耐智電子全程提供IPD65R950CFDBTMA1現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源,是國內(nèi)領(lǐng)先的IPD65R950CFDBTMA1供應(yīng)商。
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