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IPD70N10S3L-12
Infineon | 單端場效應管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
原廠封裝:
PG-TO252-3
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下載IPD70N10S3L-12技術資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPD70N10S3L-12
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):70A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 70A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):77nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5550pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝:PG-TO252-3
耐智電子是國內領先的IPD70N10S3L-12供應商
IPD70N10S3L-12供應商-耐智電子
IPD70N10S3-12
Infineon
IPD70N03S4L-04
Infineon
BCX 70H E6327
單路晶體管(BJT)
IPD50R380CE
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SLE 4428 M2.2
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IPD60R600CP
單端場效應管
IPD70N10S3L-12
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