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IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon | 單端場效應管
制造廠商:
Infineon
(英飛凌)
功能簡述:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
原廠封裝:
TO-252-3
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下載IPD80R2K8CEBTMA1技術資料
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPD80R2K8CEBTMA1
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
系列:CoolMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):800V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.1A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 120μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):290pF @ 100V
功率 - 最大值:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-4, DPak(3 引線 + 接片)
供應商器件封裝:TO-252-3
耐智電子是國內領先的IPD80R2K8CEBTMA1供應商
IPD80R2K8CEBTMA1供應商-耐智電子
IPD80N04S3-06
Infineon
IPD80R1K0CEBTMA1
Infineon
BSL207SP
單端場效應管
IKW25N120T2
單路IGBT
BB 639 E7904
可變電容二極管
IPD15N06S2L-64
單端場效應管
IPD80R2K8CEBTMA1
是Infineon英飛凌公司的一款產品,Infineon代理商耐智電子全程提供IPD80R2K8CEBTMA1現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的IPD80R2K8CEBTMA1供應商。
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