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IPI12CNE8N G

Infineon | 單端場效應(yīng)管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

原廠封裝：PG-TO262-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：IPI12CNE8N G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：85V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：67A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.6 毫歐 @ 67A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：64nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4340pF @ 40V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的IPI12CNE8N G供應(yīng)商

IPI12CNE8N G供應(yīng)商-耐智電子

Infineon

Infineon

單端場效應(yīng)管

線性穩(wěn)壓器芯片

單二極管整流器

RF晶體管

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