IPI65R190C6

Infineon | 單端場效應管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262

原廠封裝：PG-TO262-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：IPI65R190C6

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：20.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1620pF @ 100V

功率 - 最大值：151W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：PG-TO262-3

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IPI65R190C6供應商-耐智電子

Infineon

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單端場效應管

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