IPL60R360P6SATMA1

Infineon | FET - 單

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

原廠封裝：8-PowerTDFN

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Infineon英飛凌公司完整型號: IPL60R360P6SATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

系列: CoolMOS P6

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 11.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 360 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 370μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 22nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1010pF @ 100V

功率 - 最大值: 89.3W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerTDFN

供應商器件封裝: 8-ThinPak (5x6)

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IPL60R360P6SATMA1供應商-耐智電子

Infineon

Infineon

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