SPB10N10 G

Infineon | 單端場效應管

制造廠商：Infineon（英飛凌）

功能簡述：MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

原廠封裝：P-TO263-3

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Infineon英飛凌公司完整型號：SPB10N10 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 7.8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 21μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19.4nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：426pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：P-TO263-3

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SPB10N10 G供應商-耐智電子

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