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SPB18P06P G代理

SPB18P06P G

Infineon | 單端場效應管
制造廠商：Infineon（英飛凌）
功能簡述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
原廠封裝：PG-TO263-2
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  • Infineon英飛凌公司完整型號：SPB18P06P G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  • 系列：SIPMOS
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18.7A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：860pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：81.1W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應商器件封裝：PG-TO263-2
  • 耐智電子是國內領先的SPB18P06P G供應商
    • SPB18P06P G供應商-耐智電子
  • Infineon
    SPB100N08S2-07
  • Infineon
    SPB10N10
  • RF晶體管
    BFP 740FESD H6327
  • 單端場效應管
    SPD30N03S2L07T
  • 微控制器
    SAF-XC164TM-8F20F AA
  • 單端場效應管
    IPP037N08N3 G E8181
    • SPB18P06P G是Infineon英飛凌公司的一款產品，Infineon代理商耐智電子全程提供SPB18P06P G現貨支持、優勢價格、充足貨源，是國內領先的SPB18P06P G供應商。

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