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APT19F100J
Microsemi | 場效應管模塊
制造廠商:
Microsemi
(美高森美)
功能簡述:
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
原廠封裝:
ISOTOP
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下載APT19F100J技術資料
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Microsemi美高森美完整型號:APT19F100J
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
系列:POWER MOS 8?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):20A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):440 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8500pF @ 25V
功率 - 最大值:460W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:ISOTOP
耐智電子是國內領先的APT19F100J供應商
APT19F100J供應商-耐智電子
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APT19F100J
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