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APT65GP60B2G
Microsemi | 單路IGBT
制造廠商:
Microsemi
(美高森美)
功能簡述:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
原廠封裝:
原廠封裝
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Microsemi美高森美完整型號:APT65GP60B2G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX
系列:POWER MOS 7
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A
Current - Collector Pulsed (Icm):250A
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A
功率 - 最大值:833W
Switching Energy:605μJ (開), 896μJ (關)
輸入類型:標準
Gate Charge:210nC
25°C 時 Td(開/關)值:30ns/91ns
Test Condition:400V, 65A, 5 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr):-
封裝/外殼:TO-247-3 變式
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:*
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