APT66M60B2

Microsemi | 單端場(chǎng)效應(yīng)管

制造廠商：Microsemi（美高森美）

功能簡述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

原廠封裝：T-MAX

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Microsemi美高森美完整型號(hào)：APT66M60B2

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：70A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 33A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：330nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13190pF @ 25V

功率 - 最大值：1135W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3 變式

供應(yīng)商器件封裝：T-MAX [B2]

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的APT66M60B2供應(yīng)商

APT66M60B2供應(yīng)商-耐智電子

Microsemi

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二極管TVS

RF二極管

嵌入式片上系統(tǒng)芯片

FPGA現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列

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