APTC60DDAM35T3G

Microsemi | 場效應(yīng)管模塊

制造廠商：Microsemi（美高森美）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3

原廠封裝：SP3

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Microsemi美高森美完整型號：APTC60DDAM35T3G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：72A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 72A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：518nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14000pF @ 25V

功率 - 最大值：416W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP3

供應(yīng)商器件封裝：SP3

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APTC60DDAM35T3G供應(yīng)商-耐智電子

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