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APTM100TDU35PG
Microsemi | 場效應管模塊
制造廠商:
Microsemi
(美高森美)
功能簡述:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
原廠封裝:
SP6-P
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下載APTM100TDU35PG技術資料
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Microsemi美高森美完整型號:APTM100TDU35PG
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
系列:-
FET 類型:6 N-溝道(3 相橋)
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):22A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):186nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5200pF @ 25V
功率 - 最大值:390W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP6
供應商器件封裝:SP6-P
耐智電子是國內領先的APTM100TDU35PG供應商
APTM100TDU35PG供應商-耐智電子
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APTM100TDU35PG
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