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APTM120A80FT1G
Microsemi | 場效應管模塊
制造廠商:
Microsemi
(美高森美)
功能簡述:
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
原廠封裝:
SP1
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下載APTM120A80FT1G技術資料
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Microsemi美高森美完整型號:APTM120A80FT1G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
系列:-
FET 類型:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):14A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):960 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6696pF @ 25V
功率 - 最大值:357W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP1
供應商器件封裝:SP1
耐智電子是國內領先的APTM120A80FT1G供應商
APTM120A80FT1G供應商-耐智電子
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單端場效應管
APTM120A80FT1G
是Microsemi美高森美公司的一款產品,Microsemi代理商耐智電子全程提供APTM120A80FT1G現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的APTM120A80FT1G供應商。
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