APTM120DA56T1G

Microsemi | 場效應管模塊

制造廠商：Microsemi（美高森美）

功能簡述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

原廠封裝：SP1

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Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA56T1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：672 毫歐 @ 14A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：300nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7736pF @ 25V

功率 - 最大值：390W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應商器件封裝：SP1

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APTM120DA56T1G供應商-耐智電子

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