APTM50DAM19G

Microsemi | 場效應管模塊

制造廠商：Microsemi（美高森美）

功能簡述：MOSFET N-CH 500V 163A SP6

原廠封裝：SP6

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Microsemi美高森美完整型號：APTM50DAM19G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 500V 163A SP6

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：500V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：163A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22.5 毫歐 @ 81.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：492nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22400pF @ 25V

功率 - 最大值：1136W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP6

供應商器件封裝：SP6

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APTM50DAM19G供應商-耐智電子

Microsemi

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