BUK7K5R6-30E,115

NXP | 場效應管陣列

制造廠商：NXP（恩智浦）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

原廠封裝：LFPAK56D

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NXP恩智浦完整型號：BUK7K5R6-30E,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：40A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1969pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-1205， 8-LFPAK56

供應商器件封裝：LFPAK56D

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BUK7K5R6-30E,115供應商-耐智電子

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