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BUK9MJT-55PRF,518

NXP | 場效應管陣列

制造廠商：NXP（恩智浦）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC

原廠封裝：20-SO

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NXP恩智浦完整型號：BUK9MJT-55PRF,518

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：13.8 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

供應商器件封裝：20-SO

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BUK9MJT-55PRF,518供應商-耐智電子

NXP

NXP

觸發器邏輯芯片

單路﹐預偏壓式晶體管

緩沖器，驅動器，接收器，收發器芯片

單端場效應管

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