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PMGD8000LN,115
NXP | 場效應管陣列
制造廠商:
NXP
(恩智浦)
功能簡述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
原廠封裝:
6-TSSOP
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下載PMGD8000LN,115技術資料
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NXP恩智浦完整型號:PMGD8000LN,115
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
系列:TrenchMOS?
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):125mA
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.35nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):18.5pF @ 5V
功率 - 最大值:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商器件封裝:6-TSSOP
耐智電子是國內領先的PMGD8000LN,115供應商
PMGD8000LN,115供應商-耐智電子
PBLS4002V,115
NXP
74HC4066BQ,115
NXP
74AXP1G06GXH
柵極和逆變器
BTA410Y-800ET,127
雙向可控硅
TJA1041T/VM,512
驅動器,接收器,收發器芯片
PHE13009/DG,127
單路晶體管(BJT)
PMGD8000LN,115
是NXP恩智浦公司的一款產品,NXP代理商耐智電子全程提供PMGD8000LN,115現貨支持、優勢價格、充足貨源,是國內領先的PMGD8000LN,115供應商。
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