PMWD15UN,518

NXP | 場效應管陣列

制造廠商：NXP（恩智浦）

功能簡述：MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

原廠封裝：8-TSSOP

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NXP恩智浦完整型號：PMWD15UN,518

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18.5 毫歐 @ 5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1450pF @ 16V

功率 - 最大值：4.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商器件封裝：8-TSSOP

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PMWD15UN,518供應商-耐智電子

NXP

NXP

柵極和逆變器芯片

單齊納二極管

觸發器邏輯芯片

單路﹐預偏壓式晶體管

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