PSMN070-200P,127

NXP | 單端場效應管

制造廠商：NXP（恩智浦）

功能簡述：MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB

原廠封裝：TO-220AB

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NXP恩智浦完整型號：PSMN070-200P,127

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB

系列：TrenchMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：77nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4570pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB

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PSMN070-200P,127供應商-耐智電子

NXP

NXP

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RF場效應管

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