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ON安森美半導體完整型號：NDD02N60Z-1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V IPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.8 歐姆 @ 1A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.1nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：274pF @ 25V

功率 - 最大值：57W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商器件封裝：I-Pak

耐智電子是國內(nèi)領(lǐng)先的NDD02N60Z-1G供應(yīng)商

NDD02N60Z-1G供應(yīng)商-耐智電子

雙向可控硅

單端場效應(yīng)管

監(jiān)控器芯片

DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

NDD02N60Z-1G是ON安森美公司的一款產(chǎn)品，ON代理商耐智電子全程提供NDD02N60Z-1G現(xiàn)貨支持、優(yōu)勢價格、充足貨源，是國內(nèi)領(lǐng)先的NDD02N60Z-1G供應(yīng)商。

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