耐智電子為您提供NGTB03N60R2DT4G的火速報價及代理采購等服務
ON安森美半導體完整型號: NGTB03N60R2DT4G制造廠家名稱: ON Semiconductor功能總體簡述: IGBT 9A 600V DPAK系列: -IGBT 類型: -電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 600V電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 9A脈沖電流 - 集電極 (Icm): 12A不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，3A功率 - 最大值: 49W開關能量: 50μJ（開），27μJ（關）輸入類型: 標準柵極電荷: 17nC25°C 時 Td（開/關）值: 27ns/59ns測試條件: 300V，3A，30 歐姆，15V反向恢復時間（trr）: 65ns封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63安裝類型: 表面貼裝供應商器件封裝: DPAK耐智電子是國內領先的NGTB03N60R2DT4G供應商 
