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ON安森美半導體完整型號：NGTB20N60L2TF1G制造廠家名稱：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 20A TO3PF系列：-IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：80A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.65V @ 15V，20A功率 - 最大值：64WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：84nC25°C 時 Td（開/關）值：60ns/193nsTest Condition：300V， 20A， 30 歐姆， 15V反向恢復時間 (trr)：70ns封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3安裝類型：通孔供應商器件封裝：TO-3PF-3耐智電子是國內領先的NGTB20N60L2TF1G供應商 
