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ON安森美半導體完整型號:NGTB30N60IHLWG制造廠家名稱:ON Semiconductor描述:IGBT 600V 30A TO247系列:-IGBT 類型:溝道和場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):150A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 15V,30A功率 - 最大值:250WSwitching Energy:280μJ (關)輸入類型:標準Gate Charge:130nC25°C 時 Td(開/關)值:70ns/140nsTest Condition:400V, 30A, 10 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr):400ns封裝/外殼:TO-247-3安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247耐智電子是國內領先的NGTB30N60IHLWG供應商