NTJD2152PT1G

ON | 場效應管陣列

制造廠商：ON（安森美）

功能簡述：MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363

原廠封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363

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ON安森美半導體完整型號：NTJD2152PT1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363

系列：-

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：775mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 570mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：225pF @ 8V

功率 - 最大值：270mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD2152PT1G供應商-耐智電子

單路晶體管(BJT)

單端場效應管

線性穩壓器芯片

RF晶體管

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